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子束发出的光线。
波长与极紫外光相比，
尺寸小了至少三倍！
波长只有3~5nm，制造1nm芯片电路图都毫无压力。
再说光线能量问题。
能量越大，绘制芯片电路图的时候，曝光时间就越短。
这样的话，
不仅能够提升生产效率，
更为关键的是，
期间出现问题的几率也就越小。
而电子束光源，
说白了就是高速运动的电子束，产生的能量可想而知！
比起极紫外光，
能量至少提高十倍！
最后再说曝光能量均匀分布的问题。
这就和光源平行度有很大的关系了。
极紫外光平行度可以达到90%，
这个数据已经非常恐怖了！
可与电子束光源相比，
双方就完全不是一个等级了。
因为电子束光源平行度能够达到100%，每个电子的运行方向和速度完全一致，
可以说是最完美的平行光。
绘制芯片电路图的时候，光线完全均匀照射，曝光能量自然也是相当均匀的。
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第三更。
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